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    濕法制程整體解決方案提供商

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    推薦產品 / 產品中心
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.dianedb.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
    發布時間: 2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.dianedb.com ,400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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    芯片生產中所用的清洗設備

    時間: 2021-03-02
    點擊次數: 41

    當我們談論芯片產業時,首先想到的就是光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學機械拋光(CMP)等工藝,在過去的一段時間內,《每日財報》基本對這些環節實現了覆蓋。

    今天要講的是一個看起來不起眼但同樣重要的環節——清洗。半導體清洗主要是為了去除芯片生產中產生的各種沾污雜質,是芯片制造中步驟最多的工藝,幾乎貫穿整個作業流程。由于硅片的加工過程對潔凈度要求非常高,所有與硅片接觸的媒介都可能對硅片造成污染,硅片清洗的好壞對器件性能有嚴重的影響,因此幾乎每一步加工都需要清除沾污。

    在很多人看來,芯片生產中所用的清洗設備似乎并沒有什么技術門檻,也就沒有那么大的價值,但事實卻并非如此,芯片制造是一個極其復雜和精致的產業,任何一環出現問題都會前功盡棄。

    在半導體設備市場中,晶圓制造設備采購大約占整體的80%,測試設備大約占9%,封裝設備大約占7%,其他設備大約占4%,同時清洗設備在晶圓制造設備中的采購費用占比約為6%,因此可以推算出清洗設備約占半導體設備投資的4.8%。

    1芯片良率的“保鏢”

    芯片制造需要在無塵室中進行,如果在制造過程中,有沾污現象,將影響芯片上器件的正常功能。據估計,80%的芯片電學失效都是由沾污帶來的缺陷引起的。沾污雜質是指半導體制造過程中引入的任何危害芯片成品率及電學性能的物質,具體的沾污包括顆粒、有機物、金屬和自然氧化層等。

    一般來說,工藝越精細對于控污的要求越高,而且難度越大,隨著半導體芯片工藝技術節點進入28納米、14納米等更先進等級,工藝流程的延長且越趨復雜,產線成品率也會隨之下降。造成這種現象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更高,小尺寸污染物的高效清洗更困難,解決的方法主要是增加清洗步驟。在80-60nm制程中,清洗工藝大約100多個步驟,而到了10nm制程,增至200多個清洗步驟。

    根據清洗介質不同,半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法工藝是使用各種化學藥液與晶圓表面各種雜質粒子發生化學反應,生成溶于水的物質,再用高純水沖洗,依次去除晶圓表面各種雜質。干法工藝是不采用溶液的清洗技術,通過等離子清洗技術、汽相清洗技術或束流清洗技術來去除晶圓表面的雜質。

    濕法工藝在達到晶圓表面的潔凈度和平滑度方面通常優于干法工藝,并且是目前單晶圓清洗使用的標準工藝,應用于晶圓制造過程中90%以上的清洗步驟。

    清洗設備主要可以分為單片清洗設備和槽式清洗機,槽式清洗機用于批量處理晶圓,單片清洗設備可以針對單個晶圓的清洗進行條件優化。

    需要注意的是,單片清洗設備是目前市場的絕對主流。在過去的十年間,尋求提升清洗質量的晶圓制造商逐漸從批量清洗設備轉向單片清洗設備。2019年,單片清洗設備的占比達到75%,而且隨著集成電路特征尺寸的進一步縮小。單片清洗設備的運用更加廣泛,未來占比有望逐步提高。

    比如說,當工藝尺寸達到14nm之后,存儲技術將會達到尺寸縮小的極限,存儲芯片逐步從二維(2D)結構向三維(3D)結構推進。

    例如在3D NAND(計算機閃存設備)制造工藝中,需將原來2D NAND中二維平面橫向排列的串聯存儲單元改為垂直排列,通過增加立體層數,解決平面上難以微縮的工藝問題,堆疊層數也從32層、64 層向128層發展。

    存儲技術從2D向3D轉變,清洗晶圓表面的基礎上,還需在無損情況下清洗內部污染物,對清洗設備提出了更高的技術要求,清洗設備單臺價值量不斷提升,根據SEMI的預測,清洗設備市場未來幾年復合增長率為6.8%。

    2、本土三強漸入佳境

    全球清洗設備市場規模超30億美元,大陸市場約7億美元,但與芯片產業的其他工藝類似,目前全球半導體清洗設備市場同樣被國外公司壟斷。數據顯示,全球的清洗設備市場基本由國外的幾家巨頭把控,特別是日本企業。其中迪恩士、東京電子、拉姆研究是全球半導體清洗設備龍頭,2019年CR3接近90%。迪恩士(DNS)是絕對龍頭,全球份額達50%,國內公司中,盛美股份、北方華創2019年全球份額分別為3%、1%。

    芯片生產中所用的清洗設備?

    國內從事半導體清洗設備的公司主要有盛美半導體、北方華創、至純科技、華林科納等。客觀的評價,國內企業規模和產品競爭力與國際知名企業仍然存在較大差距。比如說,國外單片晶圓清洗設備已發展到12個、16個腔體、對應的附屬設備的介質供應也越多,可滿足智能化、軟件控制、壓力均等和清洗后的存放等需求,而國產濕法清洗設備從種類和功能上目前能實現的部分較為有限。但目前本土企業的發展已經漸入佳境,我們分別介紹一下。

    盛美股份是國內半導體清洗設備龍頭企業,主攻單片清洗設備。2015年,公司生產的12英寸45納米半導體單片晶圓清洗設備交付韓國知名存儲器廠商海力士,成為國內首臺具有自主知識產權的高端12英寸半導體設備,打破了國產設備在海外銷售的零記錄。

    2019年盛美股份在全球單片清洗設備份額達4%。根據中國國際招標網的數據,長江存儲第14-38批設備招標中,公布了88臺清洗設備中標名錄,其中迪恩士、盛美股份、拉姆研究占據榜單前三,中標臺數分別為25臺、18臺、16臺,份額分別為28%、20%、18%。盛美股份獲得20%的清洗設備份額,遠高于其全球3%的份額。

    今年6月份,盛美股份科創板IPO申請已經獲上交所受理。財務數據顯示,2017-2019年,盛美股份收入分別為2.54億元、5.5億元、7.57 億元,CAGR 為72.4%,歸母凈利潤分別為1086萬元、9253萬元、1.35億元,CAGR 為252.4%,不出意外的話公司會順利上市。

    北方華創是2015年由七星電子和北方微電子戰略重組而成,由此形成了半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件四個事業群。2017 年北方華創收購了美國硅片清洗公司Akion,在原有清洗設備的基礎上進行了整合。目前公司主要清洗設備產品為單片和槽式清洗設備,現在有Saqua 系列12英寸單片清洗機和Bpure系列全自動槽式清洗機,可以用于90-28nm芯片生產。2019年,北方華創在槽式清洗設備份額達7%。

    至純科技基于自身作為半導體產業高純工藝系統集成商積累的優勢,通過結構優化和工藝延伸,投身于本土集成電路工藝裝備事業。公司于 2015年開始啟動濕法工藝裝備研發,2016年成立院士工作站,2017年成立獨立的半導體濕法事業部。

    華林科納的總公司叫蘇州華林科納半導體設備有限公司,是由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所合資成立于2008年3月。與2014年11月份成立了南通華林科納半導體設備有限公司,主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售;目前已形成濕槽式清洗、單片刻蝕、干燥甩干系列、供液系統、電(化學)鍍五大系列產品;?廣泛應用于半導體材料加工、集成電路、光伏產品、LED、MEMS以及分立器件等行業和領域。

    主要產品有:槽式清洗設備(濕法腐蝕清洗機、外延片清洗機、全自動去膠清洗機、種植體全自動腐蝕清洗機、兆聲清洗機等);

    單片清洗機設備;

    化學品輸送系統(供液系統、自動配液機、混液系統、化學品分配系統、HF供液系統、腐蝕柜、灌裝系統等)

    干燥系統設備(IPA干燥系統設備、單腔立式甩干機、雙腔甩干機等)


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