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    始于90年代末

    濕法制程整體解決方案提供商

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    推薦產品 / 產品中心
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.dianedb.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
    發布時間: 2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.dianedb.com ,400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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    第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    時間: 2021-03-26
    點擊次數: 15

    320日,第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會在南通華林科納半導體設備有限公司成功舉辦。這屆培訓會以“以聲共匯平臺,以友共筑數據”的主題面向芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備以及下游應用產業鏈多個群體。培訓會進一步聚焦泛半導體濕法行業發展新動態、新趨勢、新技術及創新項目,深入探討濕法工藝的發展模式和行業發展趨勢。

    中環科技、協鑫集團、三安光電、有研硅股、天科合達、中電科集團研究所、中科院半導體所、清華大學、浙江大學、中科大等多家單位代表出席培訓會,國內近50家半導體知名企業與大學研究所80余人參加培訓會。

    第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    本次培訓會面向濕制程設備實際使用者,主要由濕法行業領導者華林科納牽頭,匯集了濕法工藝&設備、濕制程的化學品知識、水處理知識、超聲/兆聲清洗知識、專業計量儀器應用知識等產業鏈各環節的優秀課程。每個課程的演講者都是來自國際一流或者國內頂尖的供應鏈,無一不代表著當下產業內的領先水平。

    第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    課程首先由華林科納項目總監高艷帶來的《濕法設備與工藝解析》,深入淺出的原理介紹了濕法清洗在半導體領域的影響。制程工藝每推進一代,清洗步驟增加約15%。半導體器件集成度和芯片復雜度的提高,使得芯片對雜質的敏感度大大提升。在工藝節點不斷推進的前提下,為了降低雜質影響、提高良率,需要繼續增加清洗步驟。

    而受當前國際疫情形勢影響,且國內半導體行業在國家的大力發展下,本土清洗設備市場國有化率約為20%,國產化有望進一步加快。與國外日本公司占據清洗機行業主導地位相比,以華林科納為代表的國產濕法設備制造商在槽式領域已具有一定競爭力。

    在分析了濕法設備的市場背景后,高總監從通用的RCA清洗工藝知識的展開,介紹了各種SC1SC2HF/BOEChemical在清洗過程中起到的作用及效果分析,鞭辟入里地從專業的角度對濕法清洗設備關于CleanEtchPhotoresist Removal & Development Process的相關工藝的影響與效果進行了闡述與分析。

    另外,華林科納特約各領域專業講師也分別從濕法相關的純水機知識、濕法過程中使用的化學品、超聲/兆聲清洗工藝原理以及在濕法設備中的應用、精密儀器在濕法設備中的應用、廢液廢氣的處理方案等專業領域對進行了分享,全程會議干貨滿滿,收獲頗豐。

    第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    結合理論授課,在華林科納實訓廳,各供應鏈專業制造商也提供實物給學員們能夠近距離的觀測設備與零件。現場,專業工程師對全自動酸腐蝕機、化學品恒溫機、Marangoni干燥機、智能配液機等各種核心裝備進行了原理、使用注意點、維護保養知識的講解,打造了一個高水平、高開放度和高自由度的培訓交流平臺。

    第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    由華林科納打造的千級濕法實驗室,用于提供濕法工藝實驗驗證和核心功能模塊演示服務。在此次培訓會首次對外開放,也迎來了首批使用者,來自清華大學的張老師在濕法實驗室進行了背面腐蝕的實驗。

    序號

    類別

    實驗名稱

    1

    刻蝕

    Si Etch

    硅片刻蝕

    Metal lift off

    金屬剝離

    SiGe Etch

    化硅刻蝕

    Stress Release

    薄膜應力控制

    Film Release

    脫膜處理

    Glass Etch

    玻璃刻蝕

    TGV Etch

    玻璃通孔刻蝕

    Oxide Removel

    氧化物清除

    GaAs Etch

    碑化嫁刻蝕

    Al Etch

    鋁刻蝕

    Ti Etch

    鈦刻蝕

    GaN Etch

    氨化嫁刻蝕

    Cu Foil Etch

    銅鋁箱刻蝕

    SiC Etch

    碳化硅刻蝕

    Al203 Etch

    氧化鋁刻

    InP Etch

    磷化鋼刻蝕

    Cu Etch

    銅刻蝕



    2

    清洗

    Wafer Clean

    晶圓清洗

    Wafer Edge Clean

    晶圓邊緣清洗

    Glass Clean

    玻璃清洗

    Quartz Tube Clean

    石英爐管清洗

    Mask Clean

    光罩清洗

    Film Frame Clean

    薄膜支架清洗

    Auto Brush Clean

    自動毛刷清洗



    3

    電(化學)鍍

    Electroplate(Au,Ti,Ag)

    電鍍(銅、、金、錫、銀)

    ChemicalPlating(Cu,Ni,Cr,Sn)

    化學鍍(銅、鎳、鉻、

    4

    干燥

    Spin dryer

    旋轉甩干

    IPA dryer

    異丙醇干燥

    ?第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會成功舉辦

    基于首屆泛半導體濕法培訓會的基礎,本屆培訓會,主辦方華林科納進一步提升專業化、新型化、高端化,提升大會的品牌形象和影響力,確立了“高標準、專業性”的要求,促進了行業細分領域的成長,彌補供需雙方的痛點和盲區,充分展示了技術聚集的優勢,增強了企業間的互助與合作。

    華林科納泛半導體濕法培訓會議將每半年舉辦一次,進行常態化舉辦。作為國內最早期進入濕法設備領域的品牌,主辦方華林科納即將完成由設備制造商向技術型服務商轉變的過程爭取為中國半導體行業的人才培養、技術演進貢獻出自己的力量。

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    SKYPE 設置

    4

    阿里旺旺設置

    2

    MSN設置

    5

    電話號碼管理

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    6

    二維碼管理

    8

    郵箱管理

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