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    始于90年代末

    濕法制程整體解決方案提供商

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    2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限...
    2016 - 03 - 07
    刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。...
    2016 - 03 - 07
    SPM腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產企業密切合作,研制開發出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備。其中SPM自動清洗系統設備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設 備 名  稱南通華林科納CSE-SPM腐蝕酸洗機適 用 領  域LED外延及芯片制造設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備基 本 介 紹主要功能:通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/藍)設備形式:室內放置型操作形式:自動設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096;18913575037更多的全自動半導體SPM腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.dianedb.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.dianedb.com ,400-8768-096,18913575037
    2016 - 03 - 10
    PP通風櫥---華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-PP通風柜 專為氫氟酸及硝化類濃酸設計的實驗室通風櫥,克服了傳統通風柜在高溫濃酸環境下易生銹、變黃、龜裂等缺陷,具有的耐酸堿性能。適用行業:適用于各類研究實驗室---半導體實驗室、藥物實驗室 【產品描述】設備名稱南通華林科納CSE-PP通風柜產品描述【柜體】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸堿性能優異。經CNC精確裁切加工后,同色同質焊條熔焊修飾處理,表面無銳角。【上部柜體】:排氣柜采用頂罩式抽氣設計,設計有1個∮250mm排風口。導流板采用同質PP材料制作,耐酸堿性能優異。安裝尺寸科學合理,無氣流死角,獲取最大的廢氣捕捉性能。【操作臺面】:臺面采用12mmPP板制作,耐酸堿性能優異。通風柜臺面上水槽根據用戶要求配置。【下部柜體】:儲物柜體,中間加一層隔板。鉸鏈采用黑色塑料鉸鏈,耐腐蝕性能好。拉手采用同質C型PP拉手。【調節門】1. 調節門玻璃:采用厚4mm透明亞克力玻璃制作,耐酸堿性能優異。2.調節門邊框:為厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式結合,以確保安全及耐用性。  3.調節門懸吊鋼索:每臺通風柜調節門鋼索連接。4.調節門平衡配重:采無段式配重箱設計,其上下行程具靜音軌道予以限制避免搖晃碰撞。【電器設備】1.開關:按鈕帶燈式自鎖開關,包含風機開關,照明開關,總電源開關。2.照明設備...
    2016 - 06 - 06
    廢氣處理系統-南通華林科納CSE南通華林科納半導體CSE 的廢氣處理系統可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa; 設備名稱南通華林科納CSE-廢氣處理系統系統說明1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa;2.工藝穩定,負壓波動在15%.3.電壓:380V,三相五線,8KW;4.采用英國廢氣處理系統工藝,CSE在原工藝上經過升級改造,新的系統推出市場后,客戶反映效果較好;系統工作原理為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統,主要由以下幾大部分組成:負壓腔、正壓腔、初級錐形噴淋塔、三級噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風孔、負壓動力泵、循環噴淋泵、電控系統;廢氣經過一級錐形噴淋塔進入負壓腔內(每個噴淋塔中間為傘裝型噴頭,對廢氣層形成水封,瞬間中和廢氣)、通過射流器產生負壓把負壓腔內的廢氣抽入正壓腔內中和(在負壓腔與正壓腔之間設有三級噴淋凈化塔,三級噴淋凈化塔內配有PP填料,配有噴嘴,再次充分噴淋中和廢氣)、處理完的氣通過正壓腔上的排氣口排出。成功案例河北普興電子有限公司上海新傲半導體有限公司上海硅酸鹽研究所中試基地蘇州納維科技有限公司設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096 ;18913575037更多半導體行業廢氣處...
    2016 - 12 - 05
    花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系統優點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒)三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒清洗產能:每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒清洗產能:每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup)加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒)清洗產能:每小時18組前端開口片盒(Foup片盒) 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒,或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統對自鎖裝置的檢測,達到安全加載片盒和花籃,及其運行特征和優點可應用不同化學品(稀釋劑)來清洗 泵傳輸清洗液 計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽(循環泵...
    2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l&...
    2016 - 03 - 08
    IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.dianedb.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2016 - 12 - 05
    單腔立式甩干機-華林科納CSE南通華林科納CSE-單腔立式甩干機系統應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱南通華林科納CSE-單腔立式甩干機優    點 清洗系統應用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設備帶有滾輪可移動 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標準的高邊和低邊花籃 可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單,每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區 去離子水回收 電阻率監測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設計的花籃設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.dianedb.com 400-8768-096 ;18913575037更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.dianedb.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗...
    2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有...
    2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關...
    2017 - 12 - 06
    GMP自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-GMP自動供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-GMP自動供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學...
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    華林科納的經營理念
    誠信  創新  發展  共贏
    第一

    比客戶對自己的需求了解更多,提供最可靠,最高性價比,最小破損的處理工藝

    Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process

    第二

    不斷提高濕處理工藝及設備標準,實現整個處理鏈的最優化性能

    And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain

    第三

    與客戶合作研究,達成最優的定制工藝處理方案

    Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions

    華林科納的發展優勢
    國際水準,引領未來
    從模具設計到組裝,因為自己的生產線的快速反饋
    生產
    團隊
    專業的設計團隊提供專業設計服務!
    縮短同行業公司10%
    交貨
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    企業社會責任 —— 客戶服務華林科納始終圍繞客戶需求,以解決問題的態度,憑借多年積累的技術優勢和豐富的實踐經驗,分別在清洗系統、刻蝕系統、CDS系統、尾氣處理系統等廣泛領域,為各行業提供針對性解決方案,滿足不同客戶日益豐富的個性化需求。同時,華林科納在求新求變的過程中,以“更加貼近”客戶的服務理念,用更優質的服務為客戶創造更多的價值,保障客戶權益不受侵害。
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    華林科納動態
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      Date updated: 2021 - Mar - 26
      3月20日,第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會在南通華林科納半導體設備有限公司成功舉辦。這屆培訓會以“以聲共匯平臺,以友共筑數據”的主題面向芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備以及下游應用產業鏈多個群體。培訓會進一步聚焦泛半導體濕法行業發展新動態、新趨勢、新技術及創新項目,深入探討濕法工藝的發展模式和行業發展趨勢。中環科技、協鑫集團、三安光電、有研硅股、天科合達、中電科集團研究所、中科院半導體所、清華大學、浙江大學、中科大等多家單位代表出席培訓會,國內近50家半導體知名企業與大學研究所80余人參加培訓會。本次培訓會面向濕制程設備實際使用者,主要由濕法行業領導者華林科納牽頭,匯集了濕法工藝&設備、濕制程的化學品知識、水處理知識、超聲/兆聲清洗知識、專業計量儀器應用知識等產業鏈各環節的優秀課程。每個課程的演講者都是來自國際一流或者國內頂尖的供應鏈,無一不代表著當下產業內的領先水平。課程首先由華林科納項目總監高艷帶來的《濕法設備與工藝解析》,深入淺出的原理介紹了濕法清洗在半導體領域的影響。制程工藝每推進一代,清洗步驟增加約15%。半導體器件集成度和芯片復雜度的提高,使得芯片對雜質的敏感度大大提升。在工藝節點不斷推進的前提下,為了降低雜質影響、提高良率,需要繼續增加清洗步驟。而受當前國際疫情形勢影響,且國內半導體行業在國家的大力發展下,本土清洗設備市場國有化率約為20%,國產化有望進一步加快。與國外日本公司占據清洗機行業主導地位相比,以華林科納為代表的國產濕法設備制造商在槽式領域已具有一定競爭力。在分析了濕法設備的市場背景后,高總監從通用的RCA清洗工藝知識的展開,介紹了各種SC1、SC2、HF/BOE等Chemical在清洗過程中起到的作用及效果分析,鞭辟入里地從專業的角度對濕法清洗設備關于Clean、Etch、Photoresist Removal & Dev...
    • number of clicks: 1
      Date updated: 2021 - Mar - 26
      3月20日,第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會在南通華林科納半導體設備有限公司成功舉辦。這屆培訓會以“以聲共匯平臺,以友共筑數據”的主題面向芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備以及下游應用產業鏈多個群體。培訓會進一步聚焦泛半導體濕法行業發展新動態、新趨勢、新技術及創新項目,深入探討濕法工藝的發展模式和行業發展趨勢。中環科技、協鑫集團、三安光電、有研硅股、天科合達、中電科集團研究所、中科院半導體所、清華大學、浙江大學、中科大等多家單位代表出席培訓會,國內近50家半導體知名企業與大學研究所80余人參加培訓會。本次培訓會面向濕制程設備實際使用者,主要由濕法行業領導者華林科納牽頭,匯集了濕法工藝&設備、濕制程的化學品知識、水處理知識、超聲/兆聲清洗知識、專業計量儀器應用知識等產業鏈各環節的優秀課程。每個課程的演講者都是來自國際一流或者國內頂尖的供應鏈,無一不代表著當下產業內的領先水平。課程首先由華林科納項目總監高艷帶來的《濕法設備與工藝解析》,深入淺出的原理介紹了濕法清洗在半導體領域的影響。制程工藝每推進一代,清洗步驟增加約15%。半導體器件集成度和芯片復雜度的提高,使得芯片對雜質的敏感度大大提升。在工藝節點不斷推進的前提下,為了降低雜質影響、提高良率,需要繼續增加清洗步驟。而受當前國際疫情形勢影響,且國內半導體行業在國家的大力發展下,本土清洗設備市場國有化率約為20%,國產化有望進一步加快。與國外日本公司占據清洗機行業主導地位相比,以華林科納為代表的國產濕法設備制造商在槽式領域已具有一定競爭力。在分析了濕法設備的市場背景后,高總監從通用的RCA清洗工藝知識的展開,介紹了各種SC1、SC2、HF/BOE等Chemical在清洗過程中起到的作用及效果分析,鞭辟入里地從專業的角度對濕法清洗設備關于Clean、Etch、Photoresist Removal & Dev...
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      Date updated: 2021 - Mar - 15
      近期,行業出現了一股熱潮,即越來越多的模擬芯片企業,特別是功率半導體廠商或業務部門,熱衷于興建12英寸晶圓產線。本周,就有兩則相關消息很受關注。    3月10日,東芝宣布,計劃引進一條新的12英寸晶圓生產線。傳統上,該公司的功率半導體主要使用8英寸晶圓生產。而隨著采用12英寸晶圓生產模擬芯片成為全球趨勢,該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示,新廠建成后,可將功率半導體產能提高20%。據悉,東芝引進12英寸晶圓生產線的主要目標是提高低壓MOSFET和IGBT的生產能力。根據規劃,新產線將于2023財年上半年投產,該公司表示,將根據市場趨勢,逐步確定后續投資計劃,并將繼續擴大日本工廠的分立器件,特別是功率半導體器件的生產。    同樣是在近期,歐洲大廠博世正在德國德累斯頓建設新的12英寸晶圓廠,投資額達到10億歐元。計劃今年下半年實現商用生產。其生產的產品主要是用于汽車的功率半導體,如用于電動和混合動力汽車的DC-DC轉換器等。    2月,汽車功率半導體龍頭企業英飛凌宣布,為了緩解全球車用芯片產能不足的困境,將在奧地利新建12英寸晶圓廠,專門用于生產車用芯片,預計將于今年第三季度動工。后續還計劃在德國也建一座與奧地利相同的新廠。    同樣的情況也發生在中國,在大陸地區,聞泰旗下的安世半導體,以及士蘭微電子這兩家企業,是車用芯片和功率半導體的龍頭企業,他們都于近幾個月在新建12英寸晶圓廠方面有大動作。2020年12月,士蘭微電子位于廈門的12英寸芯片生產線正式投產。該公司規劃建設兩條以功率半導體、MEMS傳感器芯片為主要產品的12英寸特色工藝產線,本次投產的就是其中的一期項目。近期,安世半導體宣布在上海臨港投資120億元...
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      Date updated: 2021 - Mar - 1
      華林科納之半導體產業股權投資備忘錄一、 概述(一)行業業績回顧 1(二)篩選標的邏輯 3(三)疫情影響 4(四)行業展望 5(五)推薦標的清單 6二、半導體產業鏈與細分領域概況(一)產業鏈概況 9(二)半導體細分領域 9(三)半導體產品分類 11(四)國產細分領域發展 12三、半導體細分領域行業情況(一)集成電路 131、處理器 132、DSP 173、FPGA 184、存儲芯片 195、人工智能芯片 226、EDA軟件 257、顯示驅動芯片 268、觸控與指紋識別芯片 289、射頻前端芯片 3110、藍牙芯片 3611、電源管理芯片 38(二)傳感器 401、圖像傳感器 402、MEMS傳感器 42(三)分立器件 461、功率半導體 462、晶振 523、電容電阻 543、超級電容 57(四)光電子器件 591、光模塊 592、光芯片 62(五)制造 631、晶圓代工 63(六)封測 651、第四代封裝技術之一:WLCSP 封裝 66(七)材料 671、硅片 712、濕電子化學品 723、靶材 753、光刻膠 75(八)設備 771、光刻機 792、刻蝕設備 803、薄膜設備 814、其他設備 81一、概述(一)行業業績回顧在中美貿易摩擦、高科技企業被美封鎖的背景下,2019年電子行業在逆境中迅速發展,整體實現營收與利潤的共同增長。以申萬電子行業板塊的上市公司為樣本進行統計,2019年前三季度,電子行業上市公司總營收規模達到15840.63億元,同比增長16.33%,實現凈利潤714.21億,同比增長9.27%。而2019年前三季度,半導體行業上市公司總營收規模達到865.96億元,同比增長4.16%,實現凈利潤40.99億,同比增長35.07%,利潤增長迅猛。1、毛利率電子行業毛利率2019年前三季度繼續穩定在23%至25%之間,該領域毛利率最高的是半導體,2019年行...
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      Date updated: 2021 - Mar - 1
      2014年9月,國家大基金一期成立,總投資額1387億,帶動新增社會融資約5000億,實現集成電路產業鏈的全覆蓋。近日國家大基金披露,二期基金已到位,11月開始投資。實際募資2000億左右,按照1∶3的撬動比,所撬動的社會資金規模在6000億左右。二期基金投資的布局重點在集成電路裝備、材料領域。2019年1-6月,我國集成電路進口額1376.2億美元,同比下降6.9%;集成電路出口額457.5億美元,同比增長17.1%。這說明隨著我國集成電路技術的進步,以及產能的擴張,我國集成電路進口替代取得了顯著的效果。我國集成電路產業從前期大力投入,開始進入收獲季節,相關公司開始增收增利。近日爆發的日韓貿易戰中,韓國半導體產業就因日本限制了關鍵半導體材料的出口,而被鎖住了命運的咽喉,半導體材料也因此成為了各界所關注的焦點。在整個半導體產業鏈中,半導體材料處于產業鏈上游,是整個半導體行業的重要支撐。在集成電路芯片制造過程中,每一個步驟都需要用到相應的材料。半導體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測試材料兩大類。其中,晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學品、濺射靶材、CMP 拋光材料等;封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。  圖 1 半導體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學品應用環節)一濕電子化學品簡述濕電子化學品指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、互聯等)制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學品按用途可分為通用化學品(又稱超凈高純試劑)和功能性化學品(以光刻膠配套試劑為代表)。1超凈高純試劑  一般要求化學試劑中控制顆粒的粒徑在0.5μm以下,雜質含量低于ppm級,是化學試劑中對顆粒控制、雜質含量要求最高的試劑。2功能性化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足...
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      Date updated: 2021 - Feb - 26
      增強現實(AR)便攜式和可穿戴設備的市場正在迅速增長。在各種硬件實現形式中,帶透明眼鏡的頭戴式顯示器(HMD)或近眼顯示器(NED)可提供最有效和身臨其境的AR體驗。由于其輕薄的特性,光波導被認為是消費級增強現實(AR)眼鏡的無與倫比的選擇,但由于其價格高昂和技術壁壘,它仍然被禁止。隨著諸如Hololens II和Magic Leap One之類的主流AR可穿戴設備采用波導解決方案并展示了其批量生產能力,以及最近披露的針對AR光模塊制造商DigiLens,NedAR和LingXi的融資新聞,波導已成為人們關注的焦點。 AR玻璃行業的熱門話題。光波導在AR NED系統中如何工作?所謂的“陣列波導”,“幾何波導”,“衍射波導”,“全息波導”和“體積波導”之間是什么關系?波導是如何在使AR玻璃行業發生革命的過程中開發的?1.光波導—隨需應變光學系統通常由用于VR和AR近眼顯示器(NED)的微型顯示器和成像光學系統組成。微型顯示器可以像微型OLED或時尚的微型LED面板一樣主動提供圖像,也可以通過在基于液晶的顯示器(包括透射型LCD和反射型LCOS),數字微鏡器件(DMD)和激光上間接照明來間接提供圖像光束掃描儀(LBS)均由微機電系統(MEMS)啟用。與VR相似,顯示像素被成像到一定距離并形成虛擬圖像以投射到人眼。與VR不同,AR NED需要“透視”功能,以便眼睛能夠同時查看現實世界。成像系統無法阻擋正視圖,因此,這需要一個或幾個附加的光學元件來形成“光學組合器”。光學組合器反射虛擬圖像,同時將外部光傳輸到人眼,將虛擬內容疊加在真實場景的頂部,以使它們相互補充和“增強”。 在AR NED市場上已經展示了多種光學組合器解決方案,這些解決方案通常以反射鏡或部分反射鏡,透鏡或棱鏡為代表。反射表面可以是平坦的,彎曲的或自由形成的,而某些表面可以是偏振的。在這里,我們使用一種簡單...
    企業行業新聞
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      Date updated: 2021 - Mar - 15
      根據TrendForce集邦咨詢調查,2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足致使成長持續受到壓抑。然受到車用、工業與通訊需求助力,2021年第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為明顯,預估其今年市場規模將達6,100萬美元,年增率高達90.6%。TrendForce集邦咨詢進一步表示,首先,預期疫苗問世后疫情有所趨緩,進而帶動工業能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等,以及通訊基站需求回穩;其次,隨著特斯拉(Tesla)Model 3電動車逆變器逐漸改采SiC器件制程后,第三代半導體于車用市場逐漸備受重視;最后,中國政府為提升半導體自主化,今年提出十四五計劃投入巨額人民幣擴大產能,上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導體高速成長的動能。電動車、工業及通訊需求回溫,帶動第三代半導體器件營收上揚觀察各類第三代半導體器件,GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電(TSMC)、世界先進(VIS)等嘗試導入8英寸晶圓生產,然現行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸等需求逐步提升,預期2021年通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手機品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑借高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進。TrendForce集邦咨詢預期,GaN器件會持續滲透至手機與筆電配件,且年增率將在2022年達到最高峰,后續隨著廠商采用逐漸普及,成長動能將略為趨緩。SiC器件部分,由于通訊及功率領域皆需使用該襯底,因而6英寸晶圓的供應量顯得吃緊,預估2021年SiC器件于功率領域營收可達6.8億美...
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      Date updated: 2021 - Mar - 15
      根據TrendForce集邦咨詢調查,2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足致使成長持續受到壓抑。然受到車用、工業與通訊需求助力,2021年第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為明顯,預估其今年市場規模將達6,100萬美元,年增率高達90.6%。TrendForce集邦咨詢進一步表示,首先,預期疫苗問世后疫情有所趨緩,進而帶動工業能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等,以及通訊基站需求回穩;其次,隨著特斯拉(Tesla)Model 3電動車逆變器逐漸改采SiC器件制程后,第三代半導體于車用市場逐漸備受重視;最后,中國政府為提升半導體自主化,今年提出十四五計劃投入巨額人民幣擴大產能,上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導體高速成長的動能。電動車、工業及通訊需求回溫,帶動第三代半導體器件營收上揚觀察各類第三代半導體器件,GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電(TSMC)、世界先進(VIS)等嘗試導入8英寸晶圓生產,然現行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸等需求逐步提升,預期2021年通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手機品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑借高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進。TrendForce集邦咨詢預期,GaN器件會持續滲透至手機與筆電配件,且年增率將在2022年達到最高峰,后續隨著廠商采用逐漸普及,成長動能將略為趨緩。SiC器件部分,由于通訊及功率領域皆需使用該襯底,因而6英寸晶圓的供應量顯得吃緊,預估2021年SiC器件于功率領域營收可達6.8億美...
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      Date updated: 2021 - Mar - 2
      當我們談論芯片產業時,首先想到的就是光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學機械拋光(CMP)等工藝,在過去的一段時間內,《每日財報》基本對這些環節實現了覆蓋。今天要講的是一個看起來不起眼但同樣重要的環節——清洗。半導體清洗主要是為了去除芯片生產中產生的各種沾污雜質,是芯片制造中步驟最多的工藝,幾乎貫穿整個作業流程。由于硅片的加工過程對潔凈度要求非常高,所有與硅片接觸的媒介都可能對硅片造成污染,硅片清洗的好壞對器件性能有嚴重的影響,因此幾乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看來,芯片生產中所用的清洗設備似乎并沒有什么技術門檻,也就沒有那么大的價值,但事實卻并非如此,芯片制造是一個極其復雜和精致的產業,任何一環出現問題都會前功盡棄。在半導體設備市場中,晶圓制造設備采購大約占整體的80%,測試設備大約占9%,封裝設備大約占7%,其他設備大約占4%,同時清洗設備在晶圓制造設備中的采購費用占比約為6%,因此可以推算出清洗設備約占半導體設備投資的4.8%。1、芯片良率的“保鏢”芯片制造需要在無塵室中進行,如果在制造過程中,有沾污現象,將影響芯片上器件的正常功能。據估計,80%的芯片電學失效都是由沾污帶來的缺陷引起的。沾污雜質是指半導體制造過程中引入的任何危害芯片成品率及電學性能的物質,具體的沾污包括顆粒、有機物、金屬和自然氧化層等。一般來說,工藝越精細對于控污的要求越高,而且難度越大,隨著半導體芯片工藝技術節點進入28納米、14納米等更先進等級,工藝流程的延長且越趨復雜,產線成品率也會隨之下降。造成這種現象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更高,小尺寸污染物的高效清洗更困難,解決的方法主要是增加清洗步驟。在80-60nm制程中,清洗工藝大約100多個步驟,而到了10nm制程,增至200多個清洗步驟。根據清洗介質不同,半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法工藝是使用各種化...
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      Date updated: 2021 - Mar - 2
      2018年下半年,受智能手機出貨量的下滑等因素影響,半導體行業迎來了下行周期。不過隨著5G建設和車聯網市場的發展,目前半導體市場正在回暖。我國半導體市場已超過萬億規模,業已成為國家戰略新興產業的重要組成部分。為此,為您全面介紹行業概況、產業鏈結構、上游關鍵原材料、本行業競爭格局及材料重點應用領域。報告合集涵蓋高純濺射靶材、CMP材料、半導體硅片、電子氣體、封裝基板、光刻膠、光纖預制棒、濕電子化學品、半導體設備等九大市場0 1高純濺射靶材2017年全球濺射靶材市場容量達132.5億美元(半導體領域占半導體晶圓制造材料市場3%左右),預計到2020年全球高純濺射靶材市場規模將超過200億美元。顯示、記錄媒體、太陽能、半導體是顯示靶材四大應用市場,面板市場最大,占市場35%,在中國這一比例超過50%。0 2CMP材料CMP化學機械拋光是集成電路制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝,用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光。CMP拋光材料具有技術壁壘高,客戶認證時間長的特點。全球芯片拋光液市場主要被在美國、日本、韓國企業所壟斷,占據全球90%以上的高端市場份額。0 3半導體硅片硅片也稱硅晶圓,是制造半導體芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求繼續放大,勝高統計全球晶圓廠給出的總需求指引,其復合增長率為9.7%(未統計中國新建廠);SEMI 統計12寸硅片上半年累計漲幅20%,下半年漲價有望繼續上漲20-30%。0 4電子氣體電子氣體是指用于半導體及相關電子產品生產的特種氣體,應用范圍十分廣泛,在半導體工業中應用的有110余種單元特種氣體。電子特種氣體從生產到分離提純以及運輸供應階段都存在較高的技術壁壘,市場準入條件高,全球市場主要被幾家跨國巨頭壟斷,國內企業面臨巨大的競爭壓力。0 5封裝基板封裝基板已經成為封裝材料細分領域銷售占比最大的原材料,占封裝材料比重...
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      Date updated: 2021 - Mar - 1
      5G時代下的VR/AR是通信產業的升級方向,產業化基礎已日益完備  伴隨2G到4G的升級,人類基于移動終端的信息交互媒介經歷了文字、語音、圖片、視頻的演進,而在5G時代,通信的發展有望繼續拓展所傳遞信息的縱深。因此我們認為,基于VR/AR的實景交互代表著通信產業新的發展方向。當前時點,5G的成熟為克服3D內容實時傳輸問題,以及因延遲造成的眩暈問題構建了網絡環境,而相應光學元件、顯示方案、專用芯片的推出則為終端的興起搭建了硬件基礎。此外,下半年及明年華為、蘋果等大品牌終端的發布有望提振VR市場熱度,推薦歌爾股份、水晶光電、利亞德、京東方A,建議關注韋爾股份、聯創電子、蘇大維格、匯頂科技。  5G網絡的傳輸速度有效解決終端互聯和眩暈問題  現階段主流VR頭顯刷新率在75-90Hz,在90Hz刷新率以及H.264壓縮協議下,我們計算得到1K分辨率的VR內容需要21Mbps碼率,相較于僅能提供10Mbps碼率的4G網,5G可實現100-1024Mbps碼率,已經可以滿足未來單眼8K的碼率要求。此外,VR頭顯的顯示時延極限為20ms,若超過20ms部分用戶會有明顯的眩暈感,目前VR頭顯的內部圖像渲染以及刷新等時間約15-16ms,若增加4G網絡下額外10ms時延,用戶感知時延將遠超過20ms,而僅有1ms的超低時延的5G可有效解決該問題。  VR芯片、光學元件、顯示屏等硬件基礎已具備,VR頭顯重歸高增長  VR硬件構成主要包括芯片、光學元件、顯示屏等,在芯片環節,高通18年推出驍龍XR1布局中低端VR頭顯,19年推出支持5G的855 plus VR移動平臺定位高端VR頭顯。在光學元件環節,菲涅爾透鏡是解決視角場FOV和鏡片重量問題的主流方案,已廣泛應用于Oculus、HTC等品牌終端。在顯示屏環節,除了日益成熟的柔性OLED之外,京東方所推出的Fast LCD提供了可選的高性價比顯示...
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      Date updated: 2020 - May - 8
      硅芯片是當代信息技術的核心,當前正向“深度摩爾”(More Moore)和“超越摩爾”(More than Moore)兩個方向發展。物聯網(IoT)應用是“超越摩爾”技術路線中相當重要的一環,需要數量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前,大多數傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設計,將在整體上產生更大功耗并占據更大的空間。由此,復旦大學材料科學系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個芯片器件中的全新概念。作為演示,研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材料相結合和組裝,構造了對不同環境變量進行檢測和分析的柔性硅芯片傳感器及其系統。這一思路不僅具有優異的可擴展性,還可與當前集成電路先進制造工藝相兼容。5月2日,相關研究結果以《面向智能數字灰塵的硅納米薄膜光電晶體管多功能集成傳感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)為題發表在《科學進展》(Science Advances)上。研究團隊從器件的傳感機理入手,利用柔性薄膜組裝集成芯片傳感器,實現了多種環境參數探測功能的集成。 研究團隊開發了將智能材料與光電傳感結合的新穎傳感機制,并將傳感模塊與后續信號處理等模塊集成在一起,展示了其在氣體濃度、濕度、溫度等多種環境參數檢測方面的能力,已經初步具備了未來的“智能數字灰塵”的雛形。該策略也可以應用于其他的數字傳感系統,在后摩爾時代中將具有巨大的應用潛力。論文主要由李恭謹博士,博士研究生馬喆和尤淳瑜合作完成,并獲得韓國延世大學Taeyoon Lee教授和中科院微系統所狄增峰研究員的合作支持。該工作得到國家自然科學基金委、上海市科委、復旦大學和專用集成電路...
    FAQ / 服務中心
    • 2016 - 05 - 31
      公司名稱:南通華林科納半導體設備有限公司公司地址:中國江蘇南通如皋高新區桃金東路90號郵編: 226000電話:0513-87733829郵箱: sales@hlkncse.com
    • 2016 - 03 - 23
      華林科納人才招聘半導體工藝開發工程師崗位職責:1、負責硅工藝、第三代半導體材料的清洗、濕法腐蝕、去膠等設備提升和工藝開發;2、參與臨時項目研發團隊,負責工藝技術研發活動。根據項目需求,分析工藝難點,制定完備的工藝研究方案;3、獨立負責干法、濕法刻蝕工藝,進行刻蝕工藝菜單的調試;及其優化滿足工藝集成要求;4、通過許多監控系統和原因分析,提出設備問題,并為設備改善提出建設性建議;5、根據具體情況,配合業務人員跟客戶溝通設備相關事宜。任職要求: 1、大學本科學歷(含)以上, 理工科專業;2、微電子學和固體電子學、物理、化學、半導體器件專業優先考慮;3、具體半導體光刻、鍍膜、化學清洗、刻蝕等工藝經歷及相關半導體設備使用經歷優先考慮;3、具有3年以上半導體器件工藝開發工作經歷,熟悉工藝流程;4、具有獨立工作的能力和團隊合作的精神,能在困難和挫折中繼續尋求解決問題的途徑;  銷售技術工程師崗位職責:1、根據公司的發展戰略,積極開拓市場,尋找機會,挖掘客戶需求;2、能根據客戶需求提供項目解決方案,并負責客戶的項目的發現、跟蹤、商務洽談、合同簽訂以及區域銷售目標的達成;3、負責區域大客戶的關系維護與拓展;4、及時收集并反饋客戶信息和市場情況,并制定有效的銷售策略;5、配合領導負責建立并提升公司品牌形象,奠定良好的市場基礎。任職要求:1、光電、半導體物理、材料、化學化工等相關專業;本科以上學歷,2年以上工作經驗;2、熟悉大客戶銷售,有具體實際項目操作經驗者優先;3、有良好的個人素養,勤奮踏實、認真負責的精神以及良好的團隊合作精神;4、有較強的適應能力和應變能力以及優秀的溝通能力和商務談判能力者優先考慮 市場銷售(應屆生)崗位職責:1.負責日常銷售助理、行政和商務接待工作。2.公司部分老客戶的回訪、商機發掘、關系維護、訂單處理等工作。3.開發新客戶,拓展...
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